规格书 |
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文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 80V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 4A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 70 mOhm @ 4A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 18nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 634pF @ 40V |
功率 - 最大 | 1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | 8-SOICN |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FDS3512也可以通过以下分类找到